“快恢复二极管VS-UFB80FA60原装现货技术参数价格作用”参数说明
是否有现货: | 是 | 认证: | rosh |
类型: | 单管 | 安装方式: | 直插型 |
封装形式: | 塑料封装 | 应用: | 整流 |
品牌: | Vishay/威世通 | 是否进口: | 是 |
型号: | VS-UFB80FA60 | 规格: | 1 |
商标: | vishay | 包装: | 盒装 |
“快恢复二极管VS-UFB80FA60原装现货技术参数价格作用”详细介绍
二极管是最常用的电子元件之一,它最大的特性就是单向导电,也就是电流只可以从二极管的一个方向流过,二极管的作用有整流电路,检波电路,稳压电路,各种调制电路,主要都是由二极管来构成的,其原理都很简单,正是由于二极管等元件的发明,才有我们现 在丰富多彩的电子信息世界的诞生。
对于这个快恢复二极管来说,它的内部所具有的结构跟普通的PN结二极管是有着不同的区别的。这个快恢复二极管是PIN结型的二极管类型,也就是说在P型的硅材料跟N型的硅材料里面,增加了一个基区I,这样就构成了PIN硅片。由于基区是相对比较薄的,所以相应的反向恢复的电荷还是相对较小的。我们从上面的介绍知道,快恢复二极管具有很短的反向恢复时间,它的正向压降还是比较低的,相应的反向击穿电压还是比较高的。
快恢复二极管作用
快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。
快恢复二极管VS-UFB80FA60原装现货技术参数价格资料
价格:1
产品种类: 快恢复二极管
制造商: Vishay
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-227
Vr - 反向电压 : 600 V
If - 正向电流: 57 A
类型: Fast Recovery Rectifiers
Vf - 正向电压: 1.32 V
最大浪涌电流: 280 A
Ir - 反向电流 : 0.1 uA
恢复时间: 34 ns
系列: VS-UFB
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
产品: Rectifiers
工厂包装数量: 10
单位重量: 30 g
工作原理
二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
结构特点
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。
关于更多快恢复二极管的相关信息请进入我司网站查看:http://www.highfel.com/
对于这个快恢复二极管来说,它的内部所具有的结构跟普通的PN结二极管是有着不同的区别的。这个快恢复二极管是PIN结型的二极管类型,也就是说在P型的硅材料跟N型的硅材料里面,增加了一个基区I,这样就构成了PIN硅片。由于基区是相对比较薄的,所以相应的反向恢复的电荷还是相对较小的。我们从上面的介绍知道,快恢复二极管具有很短的反向恢复时间,它的正向压降还是比较低的,相应的反向击穿电压还是比较高的。
快恢复二极管作用
快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。
快恢复二极管VS-UFB80FA60原装现货技术参数价格资料
价格:1
产品种类: 快恢复二极管
制造商: Vishay
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-227
Vr - 反向电压 : 600 V
If - 正向电流: 57 A
类型: Fast Recovery Rectifiers
Vf - 正向电压: 1.32 V
最大浪涌电流: 280 A
Ir - 反向电流 : 0.1 uA
恢复时间: 34 ns
系列: VS-UFB
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
产品: Rectifiers
工厂包装数量: 10
单位重量: 30 g
工作原理
二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
结构特点
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。
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